氮化鎵將廣泛用於下一代射頻應用
DATE. 2022-09-05
近二十年來,氮化鎵(GaN)半導體技術已被大眾所熟知,它的採用意味著射頻(RF)功率能力的模式轉變。儘管尚未完全兌現其所有承諾,但GaN元件已穩步進入射頻、微波、毫米波(mmWave)領域的許多應用,甚至是太赫茲(THz)波段的應用領域。
正在進行的開發工作使GaN主動元件能夠覆蓋更廣泛的應用,比如極端溫度、功率和頻率條件下的許多應用。這些應用包括了6GHz以下和毫米波5G基礎設施設備。進一步的發展旨在降低GaN元件的成本,並增強GaN與包括CMOS在內的其他常見製程的整合能力。
完整內容:www.eettaiwan.com/20220902nt31-a-gallium-nitride-gan-recap-for-next-gen-rf-applications/
資料來源:EETimes Taiwan